レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nm CMOSプロセス0.179μm^2セル2電源SRAM(メモリ技術)
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概要
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デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,ワード線電位を2電源間の9段階に分割した任意のレベルに設定可能なワード線ドライバ,および読み出し/書込みでのセル電源動的制御回路を提案した.これにより,従来よりも小さなセルトランジスタを使用しても安定動作が可能となるため,同一デザインルールでより高密度なセルを実現できる.40nm CMOSプロセスにおいて,スケーリングトレンドに比べ10%小さい0.179μm^2セルを使用した512Kb SRAMを試作し,3桁以上のセル不良率改善を確認した.
- 2009-04-06
著者
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
川澄 篤
東芝セミコンダクター社
-
藤村 勇樹
株式会社東芝
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平林 修
株式会社東芝
-
鈴木 東
株式会社東芝
-
武山 泰久
株式会社東芝
-
櫛田 桂一
株式会社東芝
-
佐々木 貴彦
株式会社東芝
-
片山 明
株式会社東芝
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深野 剛
株式会社東芝
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中里 高明
株式会社東芝
-
志津木 康
株式会社東芝
-
串山 夏樹
株式会社東芝
-
矢部 友章
株式会社東芝
-
矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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武山 泰久
株式会社東芝セミコンダクター社
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川澄 篤
株式会社東芝セミコンダクター社
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鈴木 東
株式会社東芝セミコンダクター社
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櫛田 桂一
株式会社東芝セミコンダクター社
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矢部 友章
株式会社東芝セミコンダクター社
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藤村 勇樹
株式会社東芝セミコンダクター社
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平林 修
株式会社東芝セミコンダクター社
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平林 修
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部
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