1.6Gバイト/秒8MビットEmbedded DRAM

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概要

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• 3.3Vにおいて1.6Gバイト/秒のデータ転送率のEmbedded DRAMを開発した.センスアンプとデータ線の間にデータラッチ回路を設けたことで,ページ切り替えにおいても最小カラムサイクルで動作する.また,128ビットのデータパスを100MHzで動作させることで高いバンド幅が実現できた.113mm^2のDRAMマクロを0.5μmのCMOSプロセス,2層メタル技術でゲートアレイの中に埋め込んだ.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-05-25

著者

• 宮野 信治

  東芝

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 古山 透

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 和田 政春

  (株)東芝セミコンダクター社

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 芳賀 亮

  (株)東芝

• 矢部 友章

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐藤 勝彦

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐藤 勝彦

  (株)東芝

• 和田 政春

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 佐藤 勝彦

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 矢部 友章

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 芳賀 亮

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 圓角 元洋

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 大形 政久

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 宮野 信治

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 沼田 健二

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 新矢 寛

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 沼田 健二

  東芝セミコンダクター社

• 圓角 元洋

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

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