同期型高速DRAMの新しい書き込み方式

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概要

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• グラフィックアプリケーション向けに、クロック同期型でデータラッチ(D/L)を備えたDRAMが提案されている。このようなDRAMでは、D/Lを利用して、ロー系とカラム系を独立に動作させるので、リード、ライト時にRASのレイテンシを見かけ上無くすことが可能である。しかし、非同期動作をしているロー系と、クロック同期のカラム系との間で同期を取ることが必要になる。本報告ではメモリセルに対しての高速な書き込み方式と、低いクロック周期まで、広い範囲でロー系とカラム系の同期を取れる書き込み制御方式を提案する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-09-05

著者

• 宮野 信治

  東芝

• 佐藤 勝彦

  (株)東芝原子力技術研究所

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 古山 透

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 和田 政春

  (株)東芝セミコンダクター社

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 芳賀 亮

  (株)東芝

• 矢部 友章

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐藤 勝彦

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐藤 勝彦

  (株)東芝

• 沼田 健二

  (株)東芝

• 矢部 友章

  (株)東芝半導体デバイス技術研究所

• 新矢 寛

  (株)東芝半導体デバイス技術研究所

• 古山 透

  (株)東芝半導体デバイス技術研究所

• 新矢 寛

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 沼田 健二

  東芝セミコンダクター社

• 矢部 友章

  (株)東芝セミコンダクター社

• 矢部 友章

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社アナログ・イメージングIC事業部

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