SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm^2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm^2セルを用い開発した低電圧コンフィギュラブルSRAMについて述べる。低電圧でセルの動作マージンを保つためビット線負電位書込みとプロセスばらつきに応じたワード線レベル最適制御を導入するが、コンフィギュラブルSRAMに適した回路が必要である。そこで、セルアレイのビット線長が異なる場合でも負電位が一定となるような定負電位ライトバッファと低電圧においても立ち上がり遅延の少ないレベル可変ワード線ドライバを提案する。テストチップを試作し測定した結果、ビット線/ワード線当たりのセル数が64/128/192/256とサイズの異なるセルアレイに対して0.1V以上の低電圧化を確認した。

• 2010-04-15

著者

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 藤村 勇樹

  株式会社東芝

• 平林 修

  株式会社東芝

• 鈴木 東

  株式会社東芝

• 武山 泰久

  株式会社東芝

• 櫛田 桂一

  株式会社東芝

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 片山 明

  株式会社東芝

• 深野 剛

  株式会社東芝

• 矢部 友章

  株式会社東芝

• 仁木 祐介

  株式会社東芝

• 矢部 友章

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 櫛田 桂一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平林 修

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平林 修

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部

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