統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧動作が有効である.低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大きくなるため,従来の手法で生成されるセンスアンプ活性化信号のタイミングのばらつきが大きくなり,動作周波数が大幅に劣化してしまう.本稿では統計手法を利用してセンスアンプタイミングを生成するスキームを提案し、さらにそのスキームの回路実装方法も提案する.この回路を使用することにより、タイミングばらつきが従来の4倍改善することをシミュレーションで確認した.さらにアクセスタイムの50%近い改善を測定結果で確認することができた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
平林 修
株式会社東芝
-
武山 泰久
株式会社東芝
-
櫛田 桂一
株式会社東芝
-
矢部 友章
株式会社東芝
-
仁木 祐介
株式会社東芝
-
矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
武山 泰久
株式会社東芝セミコンダクター社
-
川澄 篤
株式会社東芝セミコンダクター社
-
橘 文彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
櫛田 桂一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
矢部 友章
株式会社東芝セミコンダクター社
-
平林 修
株式会社東芝セミコンダクター社
-
佐々木 慎一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
橘 文彦
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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