サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルク CMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の8T SRAM (C-RP 8T)セルが高速読出しを可能とした。0.5V時の読出し遅延とそのばらつきは従来のシングルエンド8T SRAM (S-RP 8T)セルを用いた場合と比ペて、それぞれ52%及び54%低減した。C-RP 8Tセルの読出しに標準的な電圧センスアンプを用いると、非選択メモリセルからのリーク電流が生じる恐れがあるが、サスペンディッド・ビットライン読出し手法を用いてリーク電流を解消した。65nm LPバルクCMOSテクノロジを用いた1Kbit SRAMマクロを評価し、アシスト回路無しで0.5V時に5.5nsecのアクセスタイムを確認した。電力効率(PD積)は従来S-RP 8Tに比ペて78%低減した。
- 2011-04-11
著者
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
宮野 信治
東芝
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター
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