デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧で動作させることが有効である.しかしながら,低電圧化に伴ってトランジスタの闘値ばらつきの影響が大きくなるため,センスアンプ活性化信号のタイミングのばらつきも大きくなり,結果として動作周波数が劣化してしまう.本稿では,新たに開発した時間逓倍回路をタイミングレプリカ回路と併用することで,低電圧動作時における周波数の劣化を改善する手法について紹介する.40nm MOSモデルを用いて回路シミュレーションを行い,提案手法を適用することにより,電源電圧が0.6Vのときにセンスアンプのタイミングばらつきが41%減少し,サイクル時間が20%削減されることを確認した.

• 2011-04-11

著者

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 藤村 勇樹

  株式会社東芝

• 平林 修

  株式会社東芝

• 鈴木 東

  株式会社東芝

• 武山 泰久

  株式会社東芝

• 櫛田 桂一

  株式会社東芝

• 矢部 友章

  株式会社東芝

• 仁木 祐介

  株式会社東芝

• 矢部 友章

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 武山 泰久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 川澄 篤

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 鈴木 東

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 橘 文彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 仁木 祐介

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 櫛田 桂一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 矢部 友章

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 藤村 勇樹

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平林 修

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平林 修

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部

• 橘 文彦

  株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社

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