ED2000-115 / SDM2000-97 / ICD2000-51 900MHz 18Mb DDR SRAM

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概要

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• 高速SRAMにおいても、I/O周波数の向上とともに、消費電力をいかに削減するかが問題となりつつある。今回、データ線とセンスアンプの構成を工夫することにより、消費電流を削減しつつ、高速化を実現した。また、自己制御型のビット線負荷を考案することにより、コア部の制御電流を削減した。こうした、高速SRAMに対応した消費電力削減技術について提案する。これらの技術を導入することによって、今回、18Mb DDR SRAMを開発した。電源電圧1.8Vでの標準条件下において、従来より動作電流を低減しつつ、I/O周波数900MHzを達成している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-08-17

著者

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 平林 修

  株式会社東芝

• 鈴木 東

  株式会社東芝

• 武山 泰久

  株式会社東芝

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 Soc研究開発センター

• 大塚 信朗

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 平林 修

  (株)東芝 SoC研究開発センター

• 武山 泰久

  (株)東芝 SoC研究開発センター

• 鈴木 東

  (株)東芝セミコンダクター社

• 川澄 篤

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泰田 浩

  (株)東芝セミコンダクター社先端メモリ開発センター

• 亀田 靖

  (株)東芝セミコンダクター社先端メモリ開発センター

• 浜野 隆裕

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 秦田 浩

  (株)東芝 セミコンダクター社 先端メモリ開発センター

• 武山 泰久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 川澄 篤

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 鈴木 東

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平林 修

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 川澄 篤

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター

• 平林 修

  (株)東芝セミコンダクター&ストレージ社ロジックLSI事業部

• 川澄 篤

  (株)東芝

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