ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本論文では、チャージシェア階層ビット線を用いた65nmプロセス128kb SRAMを開発した。ビット線をローカルビット線とグローバルビット線に分け、その間でチャージシェアを発生させることによって、低電圧動作時での、無駄な電力消費となるビット線振幅を抑制した。本提案技術を用いて0.4V動作3.3μW/MHzを達成した。
- 2012-04-16
著者
-
桜井 貴康
東京大学
-
川澄 篤
株式会社東芝
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
桜井 貴康
東大
-
桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター
-
山本 安衛
(株)半導体理工学研究センター
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター
-
桜井 貴康
東京大学:JST, ERATO
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