篠原 尋史 | (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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概要
関連著者
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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(株)半導体理工学研究センター
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東芝
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安福 正
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野村 昌弘
STARC
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村松 篤
半導体理工学研究センター(STARC)
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東京大学 生産技術研究所
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山本 安衛
(株)半導体理工学研究センター
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篠原 尋史
半導体理工学研究センター
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桜井 貴康
東京大学:JST, ERATO
著作論文
- 極低電圧動作による低エネルギーLSI (特集 エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術--2020年を見据えて)
- 9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- C-12-33 最低可動電圧(V_)の低いフリップフロップ回路トポロジーの探索(C-12.集積回路,一般セッション)
- サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)