9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(<特集>エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)

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概要

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• LSIの極低電圧化はLSIの低エネルギー化に有効であるだけでなく,センサネットや健康分野等の極低電力アプリケーションを拡大する上での技術的推進力となる重要技術である.LSIの極低電圧動作は従来とはけた違いのばらつきを伴うため,LSI設計者に挑戦的な課題を突きつけている.本稿では,論理回路を中心にLSIを構成する各回路の極低電圧化の課題と最新動向を整理し,新しい応用分野の方向性と将来展望を示す.

• 2010-11-01

著者

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 高宮 真

  東京大学大規模集積システム設計教育研究センター

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 桜井 貴康

  東大

• 桜井 貴康

  東京大学工学系研究科生産技術研究所

• 篠原 尋史

  半導体理工学研究センター(STARC)

• 桜井 貴康

  東京大学 生産技術研究所

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

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