マイクロIDDQテストのための電流測定デバイス(低電力LSI論文小特集)
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概要
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100万ゲート以上を集積するLSIでは不良箇所の検出が困難になるといった問題が生ずる.特に, レイアウトパターン依存性のあるスタンバイ電流異常などは, たとえ動作したとしても過大な電力を消費してしまうことになる.したがって, 低消費電力化のためには, このエラー位置を同定する必要がある.IDDQテストはスタンバイ時の静電流を回路ブロックごとに測定することでエラーを検出するもので, 典型的なものとしてBICS(Built-In Current Sensor)がある.しかしながら従来の手法はノイズマージン低下や回路速度の低下などの問題点がある.本論文では, CMOS技術を用いた磁場センサ回路を応用した非接触・非擾(じょう)乱で測定可能な2種類の電流センサLorentz force MOSFET(LMOS)とHall Effect MOSFET(HEMOS)を提案し, IDDQテストに応用するための回路について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-25
著者
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