センスアンプ型メモリセルを用いたSRAM書き込み電力の削減方式
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概要
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本SRAMでは、7トランジスタのセンスアンプ型メモリセルを用い、書き込み時のピット線振幅を電源電圧の1/6まで下げることによって、4メガビットSRAMの書き込み電力を90%削減する。64KビットSRAMのテストチップの試作と評価を行い、本方式の有効性を測定とシミュレーションの両方から確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-16
著者
-
桜井 貴康
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
神田 浩一
東京大学生産技術研究所
-
服部 貞昭
東京大学生産技術研究所
-
宮崎 隆行
東京大学生産技術研究所
-
神田 浩一
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
服部 貞昭
東京大学生産技術研究所:(現)kddi株式会社
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