宮野 信治 | 東芝
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概要
関連著者
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宮野 信治
東芝
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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北城 岳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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北城 岳彦
(株)東芝セミコンダクター社
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沼田 健二
東芝セミコンダクター社
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北城 岳彦
東芝
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圓角 元洋
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐藤 勝彦
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐藤 勝彦
(株)東芝
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竹内 健
東京大学
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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和田 政春
(株)東芝セミコンダクター社
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芳賀 亮
(株)東芝
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矢部 友章
(株)東芝半導体デバイス技術研究所
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矢部 友章
(株)東芝セミコンダクター社
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矢部 友章
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社アナログ・イメージングIC事業部
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山田 正昭
株式会社東芝半導体設計・評価技術センター
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山田 正昭
(株)東芝ulsi研究所
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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山田 正昭
(株)東芝半導体設計・評価技術センター
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田沢 雅昭
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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沼田 健二
(株)東芝
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村方 正美
(株)東芝 半導体設計・評価技術センター
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山田 正昭
(株)東芝 Ulsi研究所
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竹内 秀輝
(株)東芝半導体設計・評価技術センター
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圓角 元洋
(株)東芝半導体システム技術センター
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村方 正美
(株)東芝半導体設計・評価技術センター
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竹内 秀輝
株式会社東芝半導体設計・評価技術センター
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本田 健太郎
東京大学
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宮地 幸祐
東京大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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福田 良
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福田 良
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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佐藤 勝彦
(株)東芝原子力技術研究所
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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和田 修
株式会社東芝 セミコンダクター社
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和田 政春
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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山田 正昭
株式会社 東芝 半導体設計評価技術センター
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番場 博則
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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大久保 努
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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古山 透
東芝半導体デバイス技術研究所
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宮野 信治
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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芳賀 亮
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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和田 修
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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円角 元洋
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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北城 岳彦
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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味元 賢一郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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沼田 健二
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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新矢 寛
東芝半導体デバイス技術研究所
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田沢 雅昭
東芝情報システム(株)
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田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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田中丸 周平
東京大学
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川澄 篤
株式会社東芝
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平木 充
株式会社ルネサステクノロジ設計基盤開発部
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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中瀬 泰伸
三菱電機システムLSI開発研究所
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川嶋 将一郎
富士通研究所
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川嶋 将一郎
富士通マイクロエレクトロニクス・システムマイクロ事業部
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石橋 孝一郎
STARC
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平木 充
日立
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石井 智之
日立
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石井 智之
(株)日立製作所中央研究所
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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平木 充
日立中央研究所
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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杉林 直彦
Nec
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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高井 智久
(株)東芝セミコンダクター社
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永井 健
(株)東芝セミコンダクター社
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岩井 斎
(株)東芝セミコンダクター社
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加来 真理子
(株)東芝セミコンダクター社
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鈴木 淳
(株)東芝セミコンダクター社
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糸賀 尚子
(株)東芝セミコンダクター社
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宮崎 隆行
(株)東芝セミコンダクター社
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新矢 寛
(株)東芝半導体デバイス技術研究所
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古山 透
(株)東芝半導体デバイス技術研究所
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和田 政春
東芝半導体デバイス技術研究所
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佐藤 勝彦
東芝半導体デバイス技術研究所
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矢部 友章
東芝半導体デバイス技術研究所
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芳賀 亮
東芝半導体デバイス技術研究所
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圓角 元洋
東芝半導体デバイス技術研究所
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大形 政久
東芝半導体デバイス技術研究所
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宮野 信治
東芝半導体デバイス技術研究所
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沼田 健二
東芝半導体デバイス技術研究所
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス
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中瀬 泰伸
(株)ルネサステクノロジ
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和田 修
(株)東芝
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行川 敏正
(株)東芝
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大塚 伸朗
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所ulsi研究部
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中瀬 泰伸
三菱電機LSI研究所
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石井 智之
日立製作所中央研究所
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石井 智之
神奈川工科大学情報学部
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行川 敏正
株式会社東芝 セミコンダクター社
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鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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川嶋 将一郎
富士通セミコンダクター(株)
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高井 智久
東芝
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岩井 斎
東芝
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加来 真理子
東芝
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永井 健
東芝
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鈴木 淳
東芝
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糸賀 尚子
東芝
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宮崎 隆行
東芝
-
岩井 隆之
東芝
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大塚 伸朗
東芝
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鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター
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和田 政春
東芝
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター
著作論文
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 同期型高速DRAMの新しい書き込み方式
- 1.6Gバイト/秒8MビットEmbedded DRAM
- データ線シフトリダンダンシ方式を用いたLogic混載DRAMマクロ
- セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ
- セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ
- 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
- 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
- 833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- 招待講演 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 (集積回路)