宮野 信治 | 東芝
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
宮野 信治
東芝
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
北城 岳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
北城 岳彦
(株)東芝セミコンダクター社
-
沼田 健二
東芝セミコンダクター社
-
北城 岳彦
東芝
-
圓角 元洋
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
佐藤 勝彦
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
著作論文
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 同期型高速DRAMの新しい書き込み方式
- 1.6Gバイト/秒8MビットEmbedded DRAM