竹内 健 | 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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概要
関連著者
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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石田 光一
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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安福 正
東京大学
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桜井 貴康
東大
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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高宮 真
東京大学
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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竹内 健
東京大学工学系研究科
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宮地 幸祐
東京大学
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宮本 晋示
株式会社東芝
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中井 弘人
株式会社東芝
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畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科
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樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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宮野 信治
東芝
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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江角 淳
株式会社シグリード
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伊東 充吉
株式会社シグリード
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李 凱
株式会社シグリード
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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本田 健太郎
東京大学
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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竹内 健
東京大学 大学院工学系研究科電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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福田 真由美
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学
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洪 慶麟
東京大学
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上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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田中丸 周平
東京大学
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Fukuda Mayumi
Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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姫野 敏彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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高宮 真
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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細野 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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畠山 多生
株式会社 東芝 セミコンダクター社
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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清水 和裕
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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今宮 賢一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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細野 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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今宮 賢一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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杉浦 義久
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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池橋 民雄
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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神田 和重
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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清水 和裕
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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畠山 多生
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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池橋 民雄
株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部
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石田 光一
東京大学生産技術研究所
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宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
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安福 正
東京大学生産技術研究所
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姫野 敏彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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上口 光
東京大学
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洪 慶麟
東京大学電気系工学専攻
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神田 和重
株式会社東芝
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
著作論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- ソリッド・ステート・ドライブ (SSD) の高信頼性化技術
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM
- 招待講演 エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD (集積回路)
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (磁気記録・情報ストレージ)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究