堀内 健史 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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概要

• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門の論文著者

関連著者

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 堀内 健史

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 堀内 健史

  (独)産業技術総合研究所

• 畑中 輝義

  東京大学大学院工学系研究科

• 矢島 亮児

  東京大学大学院工学系研究科

• Wang Shouyu

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 堀内 健史

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学

• 大橋 憲太郎

  金沢工業大学

• 高橋 光恵

  (独)産業技術総合研究所

• 酒井 滋樹

  (独)産業技術総合研究所

• 大橋 憲太郎

  金沢工大

• 高橋 光恵

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 酒井 滋樹

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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著作論文

• Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果
• データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係
• データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ

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