竹内 健 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学
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樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科
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福田 真由美
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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Fukuda Mayumi
Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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石田 光一
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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高宮 真
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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安福 正
東京大学
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宮本 晋示
株式会社東芝
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中井 弘人
株式会社東芝
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石田 光一
東京大学生産技術研究所
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畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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桜井 貴康
東大
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安福 正
東京大学生産技術研究所
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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上口 光
東京大学
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宮地 幸祐
東京大学
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畑中 輝義
東京大学
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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畑中 輝義
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科:京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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土井 雅史
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科
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田中丸 周平
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科:東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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中島 祥斗
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科
著作論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- 高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20〜40nm世代の比較および符号長依存性の解析
- ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路