データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する。NANDフラッシュメモリへのランダム書き込みにより発生するデータの断片化は、書き込み速度の低下をもたらす。そこで本論文では、バッチライトアルゴリズムの導入によりランダム書き込みを高速化した。また、強誘電体を用いてページバッファを不揮発性回路化することで電源遮断時に書き込み待機データが消失する問題を解決し信頼性の向上を実現した。
- 2010-04-15
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
-
矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
-
堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
関連論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 書換え回数1億回以上,書込み電圧6V以下のFe-NANDフラッシュメモリセルの開発 (マテリアルフォーカス エレナノ 家電の起動時間を高速化,SSDノートパソコンの売上も好調に伴い市場拡大のチャンス到来! 「これから」のフラッシュメモリ--高速化,大容量化にともなうエラーの低減,書き換え寿命UP!)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果
- ソリッド・ステート・ドライブ (SSD) の高信頼性化技術
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御(センサ,デバイス,一般)
- 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御
- 0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(招待講演,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM
- 浸透してきた半導体ディスク装置
- 浸透してきた半導体ディスク装置
- 招待講演 エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD (集積回路)
- 依頼講演 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V[PASS](10V)、V[PGM](20V)生成電源システム (集積回路)
- ポスター講演 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V[PASS](10V)生成、15%低消費電力V[PGM](20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム (集積回路)
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (磁気記録・情報ストレージ)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
- 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- 高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20〜40nm世代の比較および符号長依存性の解析
- ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路