ポスター講演 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V[PASS](10V)生成、15%低消費電力V[PGM](20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム (集積回路)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-12-15

著者

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

関連論文

• データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
• 依頼講演 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V[PASS](10V)、V[PGM](20V)生成電源システム (集積回路)
• ポスター講演 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V[PASS](10V)生成、15%低消費電力V[PGM](20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム (集積回路)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク