C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
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概要
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- 2009-09-01
著者
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
野田 晋司
東京大学工学系研究科
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
竹内 健
東京大学工学系研究科
-
野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
畑中 輝義
東京大学
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