しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され,実験的に実証された.提案のSRAMはNMOSの基板とPMOSの基板をそれぞれV_<DD>とV_<SS>に接続する.読み出しと保持動作では,強誘電体トランジスタのしきい値電圧が自動的に変化し,スタティック・ノイズ・マージンが60%増加する.また,保持動作中はリークパスとなるトランジスタのしきい値電圧が高くなっているためリーク電流が42%削減される.スタティック・ノイズ・マージンの増加によって電源電圧が0.11V削減され,アクティブ電力が32%削減される.トランジスタ数が6つであるため,提案のSRAMは最小の面積を実現している.
- 2010-04-15
著者
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
竹内 健
東京大学工学系研究科
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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