電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
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概要
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8T-SRAMのアクセストランジスタに電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレクト問題を解決する方法を提案する。SRAMの両側のパスゲートトランジスタに電子注入する場合と自己修復方式を用いて片側のパスゲートトランジスタのみに電子注入する場合の2つの方法にっいて65nmプロセスを用いて8T-SRAM、6T-SRAMについて分析を行った。6T-SRAMでは、パスゲートトランジスタへの局所電子注入によって6.3倍読み出しスピードが劣化することが判明した。一方、提案する8T-SRAM自己修復方式片側電子注入は、ハーフセレクト問題、書き込みマージン、読み出しマージンの矛盾を解決する最も良い方法である。提案する8T-SRAMでは書き込み性能の劣化なしにハーフセレクトによるディスターブのマージンが141%上昇する。また、提案する方法は既存の8T-SRAMと比べてプロセスや面積の増加なく実現可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
竹内 健
東京大学
-
宮野 信治
東芝
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
-
本田 健太郎
東京大学
-
田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学
-
田中丸 周平
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