50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
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概要
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抵抗変化型メモリは低消費電力かつスケーラビリティに優れ,CMOSプロセスとの親和性が高くサブ20nm不揮発性メモリの有力な候補である.50nm級の抵抗変化型メモリは高抵抗状態および低抵抗状態のばらつきが大きいため抵抗を制御するためのベリファイプログラミングが必要であることが測定から分かった.本報告では書き換え回数を向上させつつ最短のアクセス時間を同時に達成するための手法と測定結果からデバイスモデルを提案する.
- 2011-12-08
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
-
樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
上口 光
東京大学
-
宮地 幸祐
東京大学
-
上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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