ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
NANDフラッシュメモリを記憶媒体としたSSDはPCやデータセンタのサーバーなどのHDDを置き換え,消費電力が少なく地球環境に優しいITシステムを実現することが期待されている.フラッシュメモリは現在30nm技術により32Gbitまで大容量化されているが,データセンタではTbit以上の大容量が必要とされ,フラッシュメモリ及びSSDのより一層の低消費電力化・高信頼性化・大容量化か求められている.パソコンやサーバーではUSBメモリ,携帯型音楽プレーヤ,携帯電話などに比べると飛躍的に高い信頼性が必要とされる.本論文ではSSDの記憶媒体であるNANDフラッシュメモリの信頼性の問題点を解説する.そして,信頼性を向上するための材料・デバイス技術,回路・システム技術の最新動向を紹介する.
- 2010-05-01
著者
関連論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- ソリッド・ステート・ドライブ (SSD) の高信頼性化技術
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM
- 招待講演 エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD (集積回路)
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (磁気記録・情報ストレージ)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- 高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20〜40nm世代の比較および符号長依存性の解析
- ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路