高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20〜40nm世代の比較および符号長依存性の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高信頼性SSDを実現する非対称符号が提案された.非対称符号はNANDフラッシュメモリに書き込むデータの"1"または"0"の割合を増加させることで,しきい値電圧の変化によるビットエラーを減らしNANDフラッシュメモリの信頼性を改善する.また非対称符号は符号長を変えると書き込むデータの"1"または"0"の割合を変化させることができる.本論文では,非対称符号化したデータを書き込んだときの保持・書き込みエラーのビットエラー率を20〜40nm世代のNANDフラッシュメモリで比較し,非対称符号の効果を検証した.さらに,非対称符号の符号長を変えたときの保持・書き込みエラーによるビットエラーを解析した.
- 2012-12-10
著者
関連論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- 高信頼性SSD向け非対称符号の効果の20〜40nm世代の比較および符号長依存性の解析
- ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路
- 高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- NANDフラッシュメモリ/ストレージクラスメモリのハイブリッドSSDの性能評価(ポスターセッション,学生・若手研究会)