高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステム(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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高信頼ビッグデータ向けフラッシュメモリ/ReRAM統合ソリッド・ステート・ストレージシステムを提案する.さらに,統合ストレージコントローラ内に,逆ミラーリング,エラー削減機構,ページRAID,エラーマスキングの4つの高信頼技術を提案する.逆ミラーリングとエラー削減機構はミラーリング技術である.提案の技術はエラーパターンが非対称であるNANDフラッシュメモリと,高速かつ上書きが可能で,書き換え寿命の長いReRAMを効果的に組み合わせたものである.その結果,許容できるNANDフラッシュメモリのビットエラー率(BER)は32倍改善した.これは書き換え回数が4.2倍,またはデータ保持時間が34倍改善したことに相当する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
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