局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
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概要
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6T-SRAMにおいて,しきい値電圧(VTH)のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため,パスゲートトランジスタ(PG Tr.)へ局所的に電子注入を行う手法が存在する.この手法はSRAMセルの片方のPG Tr.に電子を注入することによって非対称PG Tr.を形成し,読み出し時のVTHを上昇させるものである.本論文では,この手法を用いた非対称PG Tr.のVTHのシフト量の統計的なばらつきについて報告する.局所電子注入を行う際にワード線電圧をPG Tr.のVTH付近にすることで注入前のVTHが高いもののシフトを避け,それの低いものをよりシフトさせることができることが判明した.これによりPG Tr.のVTHのばらつきが自己収束されることを確認した.
- 2012-12-10
著者
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