ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路

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概要

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• ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの書き込み電圧生成回路を提案する。本回路は1つのスパイラルインダクタを用い2出力のブーストコンバータを構成し、ReRAM向け書き込み電圧VsETIREsET(3V)と、NANDフラッシュメモリー向け書き込み電圧VpGM(20V)を同時に昇圧し、同時に出力する。従来技術ではインダクタ面積の増加および昇圧時間の増大が問題となる。本提案は、2つのインダクタを用いた従来型ブーストコンバータと比較し電力増加や性能低下を招くことなく、インダクタ面積を15%削減できる。ブーストコンバータに寄与するインダクタンス設計によりブーストコンバータ間の干渉を抑制し、VSET/RESETとVPGMの同時昇圧、同時出力を実現した。

• 2012-12-10

著者

• 畑中 輝義

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科

• 畑中 輝義

  中央大学理工学部電気電子情報通信工学科:京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 中島 祥斗

  中央大学理工学部電気電子情報通信工学科

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