単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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強誘電体NANDフラッシュメモリにおける新規書き込み法として単一セル自己昇圧法(SCSB:Single-Cell Self-Boost)を提案する.提案するSCSB法では非選択ビット線中の選択ワード線のセルのみのチャネル電位を昇圧して非書き込み動作を実現する.本提案法により強誘電体NANDフラッシュメモリの電源電圧を1.0Vまで低減することが可能になり,従来の1.8Vで動作する浮遊ゲートNANDフラッシュメモリより消費電力を86%削減できる.また,NANDフラッシュメモリの消費電力が低減されることによりSSDにおいて並列で動作するNANDチップ数を6.9倍増やすことが可能となり,9.5GB/secの書き込み速度を実現できることがわかった.
- 2010-08-19
著者
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
-
野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
宮地 幸祐
東京大学
-
畑中 輝義
東京大学
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