BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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本研究ではバルク基板とsilicon-on-insulator(SOI)基板を用いた20nm世代以降のNANDフラッシュメモリの微細化限界を短チャネル効果と書き込み禁止動作におけるチャネル昇圧リークの観点から三次元デバイスシミュレーションを用いて検討した.バルクNANDフラッシュメモリではチャネル不純物濃度が高くなると短チャネル効果の抑制に効果的だが,p/n接合の耐圧が悪化するためチャネル昇圧リークが悪化する。SOI NANDフラッシュメモリでは埋め込み酸化膜(BOX)を薄くすると短チャネル効果の耐性は向上するがBOXを介したリークによりチャネル昇圧動作に問題が生じる.バルクNANDフラッシュメモリでは13nm世代でチャネル昇圧リークによる微細化限界を迎えるが,SOI NANDフラッシュメモリでは8nmまで延長が可能であることが判明した.
- 2011-11-03
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学
-
洪 慶麟
東京大学
-
洪 慶麟
東京大学電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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