局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SRAMのV_<TH>のばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため,6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所的に電子注入を行う手法が存在する.この手法はパスゲートトランジスタのV_<TH>特性を非対称にし,書き込みマージンを低化させずに読み出し時のディスターブマージンを高めるが,読み出し遅延が6.3倍劣化することが判明した.この問題を解決するため,本論文では局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを8T-SRAMセルに適用し,上記の問題を解決しつつ8T-SRAMで別途問題となるハーフセレクトディスターブも同時に解決する.さらに,この8T-SRAMの両側・片側のパスゲートトランジスタへ電子注入する方式間で読み出しマージンと書き込みマージンの比較も行い,片側のパスゲートトランジスタに注入する方式の方が書き込みマージンの劣化が少なくなることも判明した.
- 2011-04-11
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
東京大学
-
宮野 信治
東芝
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
本田 健太郎
東京大学
-
田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
-
田中丸 周平
東京大学
関連論文
- ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の高信頼性化技術(ストレージの信頼性)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (集積回路)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (シリコン材料・デバイス)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- ソリッド・ステート・ドライブ (SSD) の高信頼性化技術
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法 (集積回路)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 混載DRAMの共通テストインターフェス
- 同期型高速DRAMの新しい書き込み方式
- 1.6Gバイト/秒8MビットEmbedded DRAM
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- データ線シフトリダンダンシ方式を用いたLogic混載DRAMマクロ
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- NAND型フラッシュメモリの多値化の検討
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ
- セルアレイ拡張方式を用いたDRAMモジュールジェネレータ
- 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
- 混載ASIC用DRAMモジュールジェネレータ
- Highly reliable, high speed Solid-State Drive (SSD) (集積回路)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 (集積回路)
- フラッシュメモリの最新技術動向 : SSDへの応用
- C-12-30 20V有機CMOSオペアンプにおけるフローティングゲートを利用したプロセスばらつき補正技術の提案と実証(C-12.集積回路,一般セッション)
- 833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- 有機CMOS回路を用いた100VAC積算電力計 (情報センシング)
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(招待講演,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- グリーンITを目指した極低電力NANDフラッシュメモリ・SRAM
- 浸透してきた半導体ディスク装置
- 浸透してきた半導体ディスク装置
- 招待講演 エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD (集積回路)
- 招待講演 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 (集積回路)
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (磁気記録・情報ストレージ)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
- 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- "復興"メモリと日本の明日に向かって(パネル討論,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム
- ICASSP2012参加報告
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- SSD向けメモリーコントローラ技術
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kb サブ 10pJ/access動作8T SRAM(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kb サブ 10pJ/access動作8T SRAM(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD(ヘッド・スピントロニクス、一般)
- 局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
- 3次元実装ReRAM/MLCNANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)
- MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)