プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
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概要
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- 2010-08-19
著者
-
竹内 健
東京大学
-
宮野 信治
東芝
-
宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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