プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入することで,しきい値電圧が読み出し時と書き込み時に非対称なパスゲートトランジスタを実現する手法を提案する.これにより書き込み特性の劣化,プロセス工程の追加,セル面積の増加なしにスタティックノイズマージンが24%向上することがわかった.さらに本手法ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのみに電子を注入することでSRAMの読み出しの安定性を70%向上させることも可能である.自己修復は電子注入を多数のセルにおいて同時に行うことが可能である.
- 2010-08-19
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
東京大学
-
宮野 信治
東芝
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
本田 健太郎
東京大学
-
宮地 幸祐
東京大学
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