しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-04-22
著者
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
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