HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係
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概要
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- 2005-06-03
著者
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
堀内 健史
(独)産業技術総合研究所
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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高橋 光恵
独立行政法人 産業技術総合研究所
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堀内 健史
独立行政法人 産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
独立行政法人 産業技術総合研究所
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