データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
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概要
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データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する。従来のNANDフラッシュメモリに代わりFe-NANDを導入することによって一万回から一億回の書き換え回数、書き替え消去電圧が20Vから6Vになり低電圧動作が実現する。本論文ではランダム書き込み速度の向上を目的として、バッチライトアルゴリズムを導入した。その結果SSDへのランダム書き込み速度を2倍にすることが可能である。しかしバッチライトアルゴリズムを導入すると電源遮断によるデータ破損の危険性が発生し、信頼性の低下を招く。これを防ぐために強誘電体NMOSトランジスタで構成された不揮発性ページバッファを導入することにより問題を解決した。以上よりFe-NANDフラッシュメモリはデータセンター用SSDに最も適していると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-09
著者
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
竹内 健
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
畑中 輝義
東京大学
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