竹内 健 | 東京大学工学系研究科
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概要
関連著者
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竹内 健
東京大学工学系研究科
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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竹内 健
東京大学
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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畑中 輝義
東京大学
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江角 淳
株式会社シグリード
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伊東 充吉
株式会社シグリード
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李 凱
株式会社シグリード
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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関谷 毅
東京大学
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染谷 隆夫
東京大学
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横田 知之
東京大学工学系研究科
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関谷 毅
東京大学工学系研究科
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染谷 隆夫
東京大学工学系研究科
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Zschieschang Ute
マックスプランク研究所
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染谷 隆夫
東京大学大学院工学系研究科
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関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科
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横田 知之
東京大学大学院工学系研究科
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中川 隆
東京大学大学院工学系研究科
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野田 晋司
東京大学工学系研究科
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Zschieschang Ute
マックスプランク研
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中川 隆
東京大学工学系研究科
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ZSCHIESCHANG Ute
Max Planck Institute for Solid State Research
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KLAUK Hagen
Max Planck Institute for Solid State Research
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
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Klauk Hagen
マックスプランク研
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科
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関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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染谷 隆夫
Max Planck Institute for Solid State Research
著作論文
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御(センサ,デバイス,一般)
- 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)