竹内 健 | 東京大学:(現)中央大学
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概要
関連著者
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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宮地 幸祐
東京大学
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畑中 輝義
東京大学
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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竹内 健
中央大学理工学部電気電子情報通信工学科
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上口 光
中央大学
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宮地 幸祐
中央大学
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竹内 健
中央大学
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石田 光一
東京大学
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高宮 真
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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宮野 信治
東芝
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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安福 正
東京大学
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竹内 健
東京大学工学系研究科
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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樋口 和英
東京大学先端科学技術研究センター
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
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桜井 貴康
東大
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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本田 健太郎
東京大学
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樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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上口 光
東京大学
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洪 慶麟
東京大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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田中丸 周平
東京大学
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柳原 裕貴
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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樋口 和英
東京大学
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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野田 晋司
東京大学工学系研究科
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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宮本 晋示
株式会社東芝
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中井 弘人
株式会社東芝
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
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植村 あい子
早稲田大学大学院基幹理工学研究科
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
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江角 淳
株式会社シグリード
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伊東 充吉
株式会社シグリード
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李 凱
株式会社シグリード
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宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科
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竹内 健
早稲田大学
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鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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植村 あい子
早稲田大学 大学院基幹理工学研究科 情報理工学専攻
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洪 慶麟
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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鈴木 利一
半導体理工学研究センター
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柳原 裕貴
東京大学工学系研究科電気系工専攻
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蜂谷 尚悟
中央大学
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藤井 裕大
東京大学
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孫 超
東京大学
著作論文
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
- 浸透してきた半導体ディスク装置
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
- 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ICASSP2012参加報告
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
- SSD向けメモリーコントローラ技術
- SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD(ヘッド・スピントロニクス、一般)
- 3次元実装ReRAM/MLCNANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)
- MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)