宮地 幸祐 | 東京大学電気系工学専攻

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概要

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関連著者

• 竹内 健

  東京大学電気系工学専攻

• 宮地 幸祐

  東京大学電気系工学専攻

• 宮地 幸祐

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 宮地 幸祐

  東京大学生産技術研究所

• 野田 晋司

  東京大学電気系工学専攻

• 畑中 輝義

  東京大学電気系工学専攻

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 畑中 輝義

  東京大学

• 洪 慶麟

  東京大学電気系工学専攻

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 洪 慶麟

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

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著作論文

• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Bulk とSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討

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