宮地 幸祐 | 東京大学
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概要
関連著者
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宮地 幸祐
東京大学
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹内 健
東京大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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宮野 信治
東芝
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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本田 健太郎
東京大学
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宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学
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田中丸 周平
東京大学
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樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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上口 光
東京大学
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鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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洪 慶麟
東京大学
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上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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洪 慶麟
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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鈴木 利一
半導体理工学研究センター
著作論文
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
- 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)