竹内 健 | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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概要
関連著者
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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竹内 健
東京大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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竹内 健
東京大学工学系研究科
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科
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畑中 輝義
東京大学
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石田 光一
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科
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安福 正
東京大学
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桜井 貴康
東大
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高宮 真
東京大学
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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宮本 晋示
株式会社東芝
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中井 弘人
株式会社東芝
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畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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関谷 毅
東京大学
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横田 知之
東京大学工学系研究科
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関谷 毅
東京大学工学系研究科
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染谷 隆夫
東京大学工学系研究科
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横田 知之
東京大学大学院工学系研究科
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中川 隆
東京大学大学院工学系研究科
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野田 晋司
東京大学工学系研究科
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
-
中川 隆
東京大学工学系研究科
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ZSCHIESCHANG Ute
Max Planck Institute for Solid State Research
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KLAUK Hagen
Max Planck Institute for Solid State Research
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江角 淳
株式会社シグリード
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伊東 充吉
株式会社シグリード
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李 凱
株式会社シグリード
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宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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染谷 隆夫
東京大学
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Zschieschang Ute
マックスプランク研究所
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染谷 隆夫
東京大学大学院工学系研究科
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科
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高宮 真
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
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石田 光一
東京大学生産技術研究所
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Zschieschang Ute
マックスプランク研
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Klauk Hagen
マックスプランク研
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安福 正
東京大学生産技術研究所
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
-
関谷 毅
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
染谷 隆夫
Max Planck Institute for Solid State Research
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
著作論文
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
- C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御(センサ,デバイス,一般)
- 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
- フラッシュメモリーの現状と今後の展望
- 自己組織化単分子膜を用いた有機不揮発性メモリの作製と閾値制御
- 0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)