Wang Shouyu | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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概要

• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門の論文著者

関連著者

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 畑中 輝義

  東京大学大学院工学系研究科

• 矢島 亮児

  東京大学大学院工学系研究科

• 堀内 健史

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Wang Shouyu

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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著作論文

• データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ

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