畑中 輝義 | 東京大学大学院工学系研究科
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概要
関連著者
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畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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竹内 健
東京大学
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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畑中 輝義
東京大学
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石田 光一
東京大学
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高宮 真
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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安福 正
東京大学
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
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桜井 貴康
東大
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科
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宮本 晋示
株式会社東芝
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中井 弘人
株式会社東芝
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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高宮 真
東京大学 生産技術研究所
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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野田 晋司
東京大学工学系研究科
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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上口 光
東京大学
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矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
著作論文
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)