高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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3 次元積層ソリッド・ステート・ドライブ( 3D - ssD )向けに、書き込み電圧( 20V )発生回路と Tsv による酉己線について議論し、高速・低消費電力の電源システムを提案する。 NAND チャネル数検出回路により昇圧中の NAND チップ数( NAND チャネル数)の変動を検出し、ブーストコン,くータのスイッチングクロックの ON 時間/ OFF 時間を NAND チップ数に応じて最適値に自動的に変更する。これにより、 24 チップ並列書き込み動作を行ない、従来に比ペて sSD 書き込み速度を 60 %高速化し、 4 . 2G 即 5 の ssD 書き込み速度を実現できる。消費エネルギーも最大で 32 %削減することができる。また、電源回路と NAND チップとの配線に Cu - TSV を用いることで、 24 チップ以上の積層が可能であることを見積もった。
- 2011-04-11
著者
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
東京大学
-
石田 光一
東京大学
-
高宮 真
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
安福 正
東京大学
-
畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
-
桜井 貴康
東大
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
-
上口 光
東京大学
-
畑中 輝義
東京大学
-
上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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