STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
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概要
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0.25μm Shallow Trench Isolation(STI)プロセス技術を用いて、3.3V単一電源動作の256Mbit NAND型Flashメモリを開発した。STIプロセスを採用することにより、ビット線ピッチをLOCOSプロセスの場合の73%に縮小し、セル面積0.29μm^2、チップ面積130mm^2を実現した。降圧電源回路を導入し周辺回路を2.5Vで動作させることにより周辺トランジスタのスケーリングを実現した。読み出しにおいては、ぺージ読み出し高速化のためビット線シールド方式を採用し、3.8μsの読み出し時間を達成した。また、書込みにおいては、1kByteの高速書込みモードで4.4MByte/sの実行書き込み速度を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-28
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
姫野 敏彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
東京大学
-
中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
細野 浩司
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
畠山 多生
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
-
清水 和裕
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
-
今宮 賢一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
細野 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
今宮 賢一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
杉浦 義久
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中村 寛
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
竹内 健
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
池橋 民雄
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
神田 和重
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
清水 和裕
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
畠山 多生
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
作井 康司
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
池橋 民雄
株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部
-
姫野 敏彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
神田 和重
株式会社東芝
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