書き込み速度10MB/sの125mm^21GビットNAND型フラッシュメモリ
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概要
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0.13umのCMOS技術を用いることによって、チップサイズ125mm^2の1GビットNAND型フラッシュを開発した。メモリの構成を変えることによりチップサイズを縮小し、また10.6MB/sの書き込み速度、20MB/sの読み出し速度を実現した。ページコピー機能によりデータの書き換えスピードも9.4MB/sに達する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-04-04
著者
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中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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河合 鉱一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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今宮 賢一
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
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中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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