単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
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概要
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NAND型フラッシュメモリの単一 1.8V化に必要な三つの回路、即ち、(1) 1.8V電源でも高速なスイッチングを実現するnMOS Vppスイッチ、(2)提案する、Vppスイッチを有するロウデコーダにおいてスタンバイ電流を従来の10uA以下のレベルに抑える制御方式、(3)回路面積を従来の60%にできる昇圧回路を設計した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-16
著者
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
-
田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
-
丹沢 徹
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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