SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 新規不揮発メモリであるストレージクラスメモリ(storage class memory:SCM)とMLC(/multi-level-cell:MLC)NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドソリッドステートドライブ(solid-state drive:SSD)と本アーキテクチャのための断片化防止アルゴリズムを提案する.上書き可能かつ高速なSCMに小さく,頻繁にアクセスされるデータを格納する.本手法はSCMとして抵抗変化型メモリReRAMを仮定し,さらに(through-silicon-via:TSV)による三次元実装を行った場合,NANDフラッシュメモリのみ用いた従来SSDに対し書き込み性能を11倍向上,消費電力を93%削減,書き換え寿命を6.9倍向上させることができる.さらにReRAMの要求仕様も探索し、NANDインターフェースを持ち,セクター単位の上書きが必要であることがわかった。また、ReRAM書き込みと読み出し遅延は3μs以内,書換え回数上限は10^5であることも明らかとなった.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-04-04

著者

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 樋口 和英

  東京大学先端科学技術研究センター

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

• 上口 光

  中央大学

• 宮地 幸祐

  中央大学

• 竹内 健

  中央大学

• 藤井 裕大

  東京大学

• 孫 超

  東京大学

• 樋口 和英

  東京大学

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