3次元実装ReRAM/MLCNANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)
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概要
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ReRAMをストレージクラスメモリ(SCM)に用いた、3次元実装ReRAM/MLCNANDハイフリットSSDを提案する。NANDフラッシュメモリのページサイズより小さな断片化したデータと、頻繁に上書きされるホットデータをReRAMに格納することで、書き込み性能11倍、信頼性69倍、消費電力93%削減を達成した。SCMとして使われるReRAMに必要仕様を探索し、書き込み、読み込みレイテンシは3μs以下で、許容書き換え回数は105であることが明らかになった。
- 2013-01-24
著者
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
-
上口 光
中央大学
-
蜂谷 尚悟
中央大学
-
宮地 幸祐
中央大学
-
竹内 健
中央大学
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