丹沢 徹 | (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
丹沢 徹
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
-
田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中村 寛
(株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター
-
中村 寛
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
常盤 直哉
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡部 浩
(株)東芝セミコンダクタ社
-
増田 和紀
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
梅沢 明
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
渥美 滋
(株)東芝 デバイス技術研究所
-
志賀 仁
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
常盤 直哉
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
-
田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
-
田浦 忠行
(株)東芝セミコンダクタ社
-
志賀 仁
(株)東芝セミコンダクタ社
-
高野 芳徳
(株)東芝セミコンダクタ社
-
成毛 清美
(株)東芝セミコンダクタ社
-
丹沢 徹
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
渥美 滋
(株)東芝セミコンダクタ社
-
梅沢 明
(株)東芝セミコンダクタ社
-
増田 和紀
(株)東芝セミコンダクタ社
著作論文
- フレキシブルブロックリダンダンシと高速高精度ワード線電圧コントローラを搭載した44mm^24バンク8ワードページ64Mbフラッシュメモリ
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
- フラッシュメモリの安定な書込みパルス発生回路の設計